电致发光材料（Electroluminescent Materials）被广泛应用于各种显示、照明等领域。在电致发光材料性能表征的过程中，我们通常将待测样品加上恒定的电压，来测试器件的电流、亮度等参数。这些参数很多都受器件电阻的影响，因此准确的获得器件电阻就非常的重要。

半导体工业中，我们通过光刻技术制造和控制晶圆。其中蚀刻是该过程的主要环节，当在晶圆表面蚀刻时，可使用等离子体监测跟踪蚀刻穿过晶圆层，并确定等离子体何时完全蚀刻特定层并到达下一层。通过监测在蚀刻期间由等离子体产生的发射线，可精确追踪蚀刻过程

光致发光 (photoluminescence) 即 PL，是用紫外、可见或红外辐射激发发光材料而产生的发光，在半导体材料的发光特性测量应用中通常是用激光（波长如 325nm、532nm、785nm 等）激发材料（如 GaN、 ZnO、GaAs 等）产生荧光，通过对其荧光光谱（即 PL 谱）的测量，分析该材料的光学特性，如禁带宽度等。