MMR变温霍尔效应测量系统

MMR变温霍尔效应测量系统
美国MMR公司，成立于1980年，与斯坦福大学合作开发了致冷器，其具有世界上最小的震动(埃米级别)、宽控温范围(70~730K)及高温度稳定性(0.05K)，并将其应用在以下测量系统，提高了系统的整体性能。各个系统均采用模块设计，客户可根据实际要求配置系统，也方便日后升级。其主要客户有Standford Univ, University of Cambridge, AT&&Bell Labs, NASA, IBM, Intel, AMD，中科院等。
变温霍尔效应测量系统---桌面紧凑型

霍尔效应测量系统主要用于研究光电材料的电学特性，可以测量材料在不同温度、磁场下的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数及载流子类型。

主要参数

样品固定方式	弹簧探针或引线治具	电阻率	10-6~1013 Ohm*cm
温度	70~730K；80~580K；70~580K；80~730K；室温~730K（可选）	载流子迁移率	10-2~109 cm2/volt*sec
磁场	5000Gauss永磁铁，5000Gauss电磁场， 1.4T电磁场（可选）	载流子浓度	102~1022cm-3
温度稳定度	<=0.05K	电流范围	0.1 pA~10mA
温度响应	1K/sec	电压范围	+/-2.5V，最小可测到6X10-6 V
致冷片	10X14 mm	电阻范围	10 m Ohms~ 10G Ohms