HERA-DLTS 高能分辨率深能级瞬态谱
HERA-DLTS 高能分辨率深能级瞬态谱
FT1230深能级瞬态谱仪是分析测试半导体材料和器件的掺杂浓度 ,缺陷能级位 ,界面态(俘获界面)等半导体性质的重要测试仪器。
技术原理：
半导体的掺杂浓度、缺陷能级位、界面态(俘获界面)是研究半导体性质的重要手段。此设备根据半导体P-N 结、金－半接触结构肖特基结的瞬态电容（△C～t）技术和深能级瞬态谱（DLTS）的发射率窗技术测量出的深能级瞬态谱，是一种具有很高检测灵敏度的实验方法，能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态。通过对样品的温度扫描，可以给出表征半导体禁带范围内的杂质、缺陷深能级及界面态随温度（即能量）分布的DLTS 谱。
|
特 点： ◆ 自动接触检查 ◆ 常规测试和加强软件 ◆ 自动电容补偿 ◆ 三终端FET电流瞬态测量 ◆ 大电容和浓度范围 ◆ 灵活性高、模块化硬件 ◆ 支持各种冷却仓和温度控制器 ◆ 傅里叶转换（F-DLTS），比例 窗口和用户自定义校正功能 ◆ DLTFS(深层瞬态傅里叶光谱仪)评价 |
|
| 操作模式 ● CC-DLTS ● 缺陷分析 ● O-DLTS ● TSC/TSCAP ● I-DLTS ● 俘获截面测量 ● FET-Analysis ● PITS（光子诱导瞬态谱） ● DD-DLTS ● I/V, I/V(T)理查森标绘图 ● MOS-Analysis ● DLOS(特殊系统) ● Zerbst-DLTS ● C/V, C/V(T) ● DLOS(特殊系统) |
|
规格
|
脉冲发生器 |
电容表 |
||
|
电压范围 |
±20.4V（±102opt.） |
HF信号 |
100Mv@1MHz(20mV optional) |
|
电压分辨率 |
0．625mV |
范围[pF] |
3,30,300,3000(自动或手动) |
|
最大电流 |
＞±15mA |
电容补偿 |
0.1-3000 pF（自动或手动） |
|
脉冲宽度 |
1μs-1000s |
灵敏度 |
0.01 f F |
|
标准冷却仓 |
温度范围：300K/10K-600K/80K~600K |
||
|
电压测量 |
典型性能（Schottky Diode,Reverse Bias Capacitance 100pF@OV） |
||
|
范围 |
±10V |
灵敏度 |
10-7<NT/(ND-NA)<10-5 |
|
灵敏度 |
＜1μV |
能量精度 |
HT+/-3% |
|
输入电阻 |
106Ohm |
能量分辨率 |
10meV |
|
可提供偏压补偿 |
|
发射率 |
10-3/s<en<104/s |
|
瞬态记录 |
电流测试 |
||
|
样品速率 |
2μs到2000s |
范围 |
5，从±1μA 到±10mA |
|
样品数量 |
16-16384（opt.64k） |
灵敏度 |
＜1pA |
|
可调节抗失真滤膜 |
|
可提供漏电保护 |
|
|
选配 |
|||
|
• 恒量电容 |
• 快速脉冲界面 |
• 多样品界面 |
|
|
• 光激发 |
• ±100V选配 |
|
|
